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液化空气集团电子气业务加强高介电常数锆基前驱体的专利保护

液化空气集团电子气业务线近日宣布,其应用于半导体制造的前驱体ZyALD™已获得中国专利局授予的相关专利,从而使中国成为了继韩国、新加坡、中国台湾以及部分欧洲国家之后又一获得该项专利的国家。此外,相关专利的申请工作在其他国家及地区也预期顺利。ZyALD™及其它类似分子应用于高介电常数沉积镀膜,该工艺目前已在全球范围内获得11项专利,另有13项专利正在申请中。

ZyALD™(三(二甲胺基)环戊二烯锆)是上述已获专利的系列分子中一种重要的锆前驱体(功能分子)。该分子能够在半导体制造工艺中,实现高温条件下原子层沉积方法(ALD)沉积锆基介电层。ZyALD™于2006年首次引入工业应用,目前已成为世界范围内用于生产动态随机存取存储器(DRAM)的主流高介电常数前驱体,替代了在高温环境下无法实现相应功能的传统分子。ZyALD™也可应用于后道工艺“金属-绝缘体-金属”结构(BEOL MIM Structure)以及嵌入式动态随机存取存储器(e-DRAM)中的高介电常数层。

凭借优异的物理化学属性以及较高的挥发性、热稳定性和沉积速率,ZyALD™已成为简便易用的替代产品,并且通过拓展制造工艺的工艺平台,帮助终端用户实现从传统化学品到ZyALD™的完美过渡。

ZyALD™由液化空气集团的ALOHA™制造中心生产,工厂分别位于美国加州、法国沙隆以及日本筑波,为全球大客户基地提供服务。面临尖端半导体制造工艺的挑战,ALOHA™产品线的各种前驱体提升了微电子制造中膜材料的机电性能,并加速了各种新兴应用。ALOHA™产品线可为45纳米及以下的器件制造提供所需的尖端CVD和ALD前驱体,涵盖从吨级别的硅前驱体和高介电常数材料到克级别的实验研发产品的需求。ALOHA™前驱体优异的综合实力包含超高纯钢瓶、由液化空气集团BALAZS™世界级分析技术所支持的极其严格的技术标准、以及授权客户使用液空前驱体相关的知识产权。

液化空气集团电子气业务首席技术官Jean-Marc Girard先生表示:“液化空气集团致力于为客户提供创新产品,以满足他们日益具有挑战性的工艺需求。ZyALD™是ALOHA™所推出的诸多成功产品之一,我们希望持续的研发投入能给市场带来更多的独特产品。”

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